Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二极管，晋升开闭电源策画能效和牢靠性

　　日前，威世科技VishayIntertechnology, Inc.宣告，推出16款新型第三代1200 V碳化硅（SiC）肖特基二极管。VishaySemiconductors器件采用搀和PIN 肖特基（MPS）机闭策画，具有高浪涌电流掩护才干PG电子，低正向压降、低电容电荷和低反向走电流低，有助于晋升开闭电源策画能效和牢靠性。

　　日前发外的新一代SiC二极管蕴涵5 A至40 A器件，采用TO-220AC2L、TO-247AD 2L和TO-247AD 3L插件封装和D2PAK 2L（TO-263AB 2L）外观贴装封装。因为采用MPS机闭——愚弄激光退火后背减薄本领——二极管电容电荷低至28 nC，正向压降减小为1.35 V。别的，器件25 °C下楷模反向走电流仅为2.5 µA，所以低落了导通损耗，确保体系轻载和空载时刻的高能效。与超疾复兴二极管分别，第三代器件简直没有复兴拖尾，从而或许进一步晋升作用。

　　碳化硅二极管楷模行使蕴涵FBPS和LLC转换器AC/DC功率因数校正（PFC）和 DC/DC超高频输出整流，合用于光伏逆变器、储能体系、工业驱动器和器械、数据核心等。这些厉苛的行使情况中，器件做事温度可达+175°C，正向额定浪涌电流掩护才干高达260 A。别的，D2PAK 2L封装二极管采用高CTI ³ 600的塑封料，确保电压升高时优异的绝缘功能。

　　器件具有高牢靠性，适宜RoHS尺度，无卤素，通过2000小时高温反偏（HTRB）测试和2000次热轮回温度轮回测试。

　　Vishay AC和AC-AT 5 W轴向水泥绕线电阻新增器件具有卓越的抗脉冲功能

　　Vishay推出第二代集成式EMI障蔽4040封装汽车级IHLE电感器

　　Vishay推出采用数字输入输出接口的25 MBd光耦，简化策画并低落本钱

　　Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二极管，晋升开闭电源策画能效和牢靠性

　　大联大世平集团推出基于onsemi、Vishay和Toshiba产物的30W反激式辅助电源计划

　　上一篇：第九届“创客中邦”智能机械人中小企业改进创业大赛 讯息发外会正在京召开